Tranzystor o symbolu : IRF820 (TO-220)

Tranzystor IRF820 (TO-220)

Tranzystor IRF820, wykonany w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 500V oraz prądem drenu I_D do 2.5A. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych i przetwornicach częstotliwości. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w projektowaniu układów elektronicznych o wysokiej wydajności.