Tranzystor o symbolu : 2SJ6812
Opis produktu
Tranzystor 2SJ6812
Tranzystor 2SJ6812, charakteryzujący się typem P-MOSFET, oferuje niski opór w stanie przewodzenia. Przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych obwodach przełączających, posiada maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 600V oraz prąd drenu ID na poziomie 12A. Obudowa TO-220AB zapewnia efektywne rozpraszanie ciepła. Dostępność tego komponentu i innych części elektronicznych ułatwia projektowanie zaawansowanych systemów elektronicznych.
Specyfikacja
- Rdzeń: 4118513
- Gwarancja: 12 miesięcy
- Stan: fabrycznie nowe