Tranzystor o symbolu : BUZ100F SMD

Tranzystor BUZ100F SMD

Tranzystor BUZ100F SMD, zaliczany do kategorii MOSFET o strukturze N-kanalowej, charakteryzuje się napięciem dren-źródło V_DS wynoszącym 50V oraz prądem drenu I_D równym 50A. Urządzenie to, zaprojektowane w obudowie SMD, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, wymagających komponentów o wysokiej wydajności prądowej. Dla zapewnienia optymalnej integracji z częściami elektronicznymi, BUZ100F posiada niską rezystancję kanału R_DS(on), co minimalizuje straty mocy. Jego zastosowanie obejmuje szeroki zakres aplikacji, od zasilaczy impulsowych po przetwornice częstotliwości.